Lưu trữ — CN — technode
CXMT công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt nền tảng DRAM thế hệ thứ năm
Công ty CXMT đã công bố việc sản xuất hàng loạt nền tảng DRAM thế hệ thứ năm của mình, G5 Platform, trong Hội nghị Sản xuất Thế giới năm 2026 vào ngày 20 tháng 9. Công nghệ mới này, với khoảng cách giữa các nửa bước là 11.95nm và tỷ lệ khí điện tử 45:1, tăng hiệu suất sản xuất vi mạch lên đến 50%. Hiện có hai sản phẩm LPDDR5X dành cho điện tử tiêu dùng đang được sản xuất hàng loạt.
Điểm chính
- CXMT giới thiệu nền tảng DRAM thế hệ thứ 5 của mình, G5, tại một hội nghị lớn.
- Nền tảng G5 sử dụng kỹ thuật quadruple patterning để giảm kích thước active-area half-pitch xuống còn 11.95nm.
- Tỷ lệ kháng điện của tụ đạt 45:1, tăng cường hiệu suất.
- Chiều cao của mảng ô nhân tế bào chính được tối ưu hóa chỉ còn 6,762nm.
- Nền tảng này tăng sản xuất chip lên đến 50% so với các thế hệ trước.
- Hai sản phẩm mới 24-gigabit LPDDR5X dành cho điện thoại thông minh và thiết bị di động đang được sản xuất hàng loạt.
Vì sao quan trọng
- Sự đẩy mạnh cho các công nghệ bộ nhớ tiên tiến phản ánh nhu cầu tăng vọt cho việc tính toán hiệu suất cao và điện tử tiêu dùng.
- Phát triển này phù hợp với xu hướng nâng cao hiệu quả trong sản xuất bán dẫn năm 2025.
- Sự tăng trưởng về khả năng DRAM phản ánh những biến đổi toàn cầu rộng lớn hướng đến trí tuệ nhân tạo và xử lý dữ liệu có công suất lớn.
- Cột mốc này giống như những xu hướng trước đó khi sự tiến bộ trong DRAM đã thúc đẩy sự phát triển công nghệ, chẳng hạn như thiết bị di động và game.
Việc ra mắt nền tảng DRAM thế hệ thứ năm G5 của CXMT đánh dấu một bước tiến quan trọng trong công nghệ bộ nhớ, tiềm năng nâng cao hiệu suất của các thiết bị điện tử tiêu dùng trong tương lai và đáp ứng tốt nhu cầu tăng của thị trường.